| (11) | Numarul documentului | 4618 |
| (21) | Numarul depozitului | a 2018 0044 |
| (22) | Data depozitului | 2017.11.16 |
| | Data depunerii cererii de examinare: | (de fond) 13.07.2018 |
| (71) | Numele sau denumirea solicitantului (solicitanţilor), codul ţării | INSTITUTUL DE INGINERIE ELECTRONICĂ ŞI NANOTEHNOLOGII IIEN "D. Ghiţu", MD; |
| (72) | Numele inventatorului (inventatorilor), codul ţării | RUSU Emil, MD; URSACHI Veaceslav, MD; RAEVSCHI Semion, MD; MORARI Vadim, MD; |
| (73) | Numele sau denumirea titularului (titularilor), codul ţării | INSTITUTUL DE INGINERIE ELECTRONICĂ ŞI NANOTEHNOLOGII "D. Ghiţu", MD; |
| (54) | Titlul inventiei | Procedee de obţinere a semiconductorilor pe bază de GaN:Mg |
| (67)* | Cerere transformata si data transformarii | s 2017 0118 2018.06.13 |
| (13) | Codul documentului | |
| (51) | Clasificarea Internationala de Brevete | C30B 7/10 (2006.01); C30B 25/02 (2006.01); C30B 29/38 (2006.01); B82B 3/00 (2006.01); |
| (19) | Tara | MD |
| (45) | Data publicarii hotararii de acordare a brevetului | 2019.01.31 |
| (47) | Data eliberării brevetului | 2019.08.31 |
| | Examinator(i) la examinarea de fond | GHIŢU Irina Iurie |
| | S-a achitat mentinerea pana la data: | 2022.11.16 |
| | Data decăderii din drepturi | 2022.11.16 |
| | Publicarea menţiunii de încetare a valabilităţii cu dreptul de restabilire, în buletinul din | 2023.07.31 |
| | Statutul cererii/brevetului | Brevet nevalabil (în perioada de grație) |